-
-
微信
微信扫一扫 - 搜索
2016年南开大学郑大怀等[18]在LN晶体中双掺Bi，Mg(LN: Bi,Mg)，将响应时间缩短至了170ms，光折变灵敏性也达到21 cm2/J，如图1.10所示。 上述研究结果是利用掺杂
2016年南开大学郑大怀等[18]在LN晶体中双掺Bi，Mg(LN: Bi,Mg)，将响应时间缩短至了170ms，光折变灵敏性也达到21 cm2/J，如图1.10所示。
上述研究结果是利用掺杂技术提高铌酸锂晶体的响应速度，这是由于在晶体生长过程中容易呈现出缺锂状态，晶体内部存在大量本征缺陷，从而导致晶体许多性能的受到影响，但也因为有大量本征缺陷的存在，掺入杂志离子也变得容易很多。所以为了保持铌酸锂晶体优良的性能，我们可以采用掺杂工艺对其进行优化。